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3 月 26 日 - 28 日，SEMICON China 2025 將在上海新國(guó)際博覽中心盛大召開(kāi)。

覆蓋設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、軟件和服務(wù)等微電子、集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)等產(chǎn)業(yè)鏈，規(guī)模較大、較具影響力的半導(dǎo)體專業(yè)展。來(lái)自各領(lǐng)域的專家學(xué)者、產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)將齊聚一堂，共赴這場(chǎng)半導(dǎo)體嘉年華！

本次展覽會(huì)，飛納電鏡展位號(hào) N2-2643，歡迎大家到現(xiàn)場(chǎng)交流和互動(dòng)！飛納電鏡還準(zhǔn)備了免費(fèi)互動(dòng)活動(dòng)，歡迎蒞臨展臺(tái)交流！

SEMICON CHINA 2025

會(huì)議時(shí)間：2025年3月26日-28日

會(huì)議地點(diǎn)：上海新國(guó)際博覽中心

展位號(hào)：N2-2643

SEMICON 2025 獲取觀眾注冊(cè)通道 

復(fù)納科技云展臺(tái)搶先看

復(fù)納科技在電子半導(dǎo)體領(lǐng)域，從微納表征和樣品制備、FIB 樣品精修、到微納制造，具有豐富的產(chǎn)品線，飛納電鏡 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)、飛納清潔度檢測(cè)系統(tǒng) ParticleX，飛納場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、表面拋光 / 截面切削制樣設(shè)備-氬離子研磨儀、臺(tái)式納米 CT 等，可以滿足多樣化的材料檢測(cè)需求以及復(fù)雜的制程工藝管控，實(shí)現(xiàn)缺陷和形貌觀察以及物性失效分析。

識(shí)別下方二維碼進(jìn)入復(fù)納科技云展臺(tái)，查看復(fù)納科技半導(dǎo)體行業(yè)綜合解決方案。

Part.1飛納臺(tái)式掃描電鏡

01 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)

Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)能夠提供多種測(cè)量模式，包括機(jī)械性能、相關(guān)性分析、磁性能、電機(jī)械性能和電性能等，覆蓋了從亞納米級(jí)地形測(cè)量到局部彈性、硬度、磁疇成像、壓電疇成像、導(dǎo)電性映射、局部表面電勢(shì)映射以及局部電性能等多個(gè)領(lǐng)域。

▌半導(dǎo)體材料-二硫化鉬（MoS）

02失效分析--飛納場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

失效分析是對(duì)于電子元器件的實(shí)效原因進(jìn)行診斷，這個(gè)過(guò)程中需要對(duì)失效位置的微觀形貌進(jìn)行檢測(cè)，并進(jìn)行成分分析。電子元器件的失效原因多樣，比如內(nèi)部存在雜質(zhì)、介在物、孔洞、腐蝕、開(kāi)裂等，這些都無(wú)法在后續(xù)的加工中去除，反而容易引起造成更嚴(yán)重的破壞。因此，需要借助掃描電鏡，進(jìn)行快速判斷失效原因，具有非常重要的意義。

飛納臺(tái)式掃描電鏡分辨率優(yōu)于 1.0nm，15s 抽真空，30s 超快成像，可以快速過(guò)濾樣品，確認(rèn)分析位置和樣品前處理的狀況。具有防震技術(shù)，可以放置在 FA 實(shí)驗(yàn)室、高樓層辦公或者產(chǎn)線旁。為您提供高效、簡(jiǎn)單、精確的半導(dǎo)體解決方案，幫助您提升工藝良率。

Part.2 掃描電鏡制樣-離子研磨儀

對(duì)于電子元器件進(jìn)行失效分析時(shí)，對(duì)內(nèi)部的孔洞、雜質(zhì)等進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)觀察和分析時(shí)，需要借助離子研磨儀切割的方法，選擇合適的能量離子槍，利于離子束進(jìn)行剖面的切削或表面拋光處理，可以有效地解決以上問(wèn)題。

MLCC 電容失效案例：

研磨前：無(wú)法確定 MLCC 燒結(jié)實(shí)際狀況，無(wú)法判斷失效原因離子研磨處理后：可以清晰看到 MLCC 介質(zhì)層存在孔洞等

結(jié)合能譜結(jié)果發(fā)現(xiàn) MLCC 介質(zhì)層還存在金屬氧化物

Part.3 FIB/TEM 制樣-離子精修儀

半導(dǎo)體行業(yè)需要使用透射電鏡（TEM）從原子尺度研究結(jié)構(gòu)、元素、價(jià)態(tài)、形貌對(duì)器件最終性能的影響。借助聚焦離子術(shù)（FIB），工作人員可以制備器件某區(qū)域的薄片樣品，用于 TEM 觀察分析。但是，F(xiàn)IB 制樣過(guò)程中鎵離子的注入以及所產(chǎn)生的非晶層，卻像一層難以驅(qū)散的迷霧，阻礙著人們獲得更高質(zhì)量的微觀成像和譜學(xué)分析結(jié)果。

Gentle Mill 離子精修儀配備設(shè)計(jì)的低能氬離子槍（100 - 2000 eV，連續(xù)可調(diào)），可在比 FIB 更低的電壓下精修樣品，從而大幅減少損傷層厚度，直至 1nm 以下。該方法可對(duì) FIB 樣品 / TEM 樣品進(jìn)行表面減薄、表面后處理、去除非晶層和氧化層，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品的表面清潔和最終精修，展現(xiàn)樣品原始形貌結(jié)構(gòu)，是改善 FIB 樣品的一種有效手段。此外，該設(shè)備還可以部分去除 TEM 觀察時(shí)在樣品表面產(chǎn)生的碳沉積，從而可以實(shí)現(xiàn)多次利用寶貴的 FIB 樣品的可能。

左圖為原始 FIB  (30kV) 處理薄片；右圖為經(jīng)過(guò) Gentle Mill (300 eV) 處理的薄片。Si-SiGe 多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品兩側(cè)均使用 Gentle Mill 處理 2 分鐘，以去除 FIB 薄片制備產(chǎn)生的非晶層。在 FIB 薄片的邊緣處可以看到非晶層厚度明顯減少。

Part.4 NEOSCAN 臺(tái)式顯微 CT

顯微 CT 以其高分辨、非破壞和三維成像的能力，被廣泛應(yīng)用于電子元器件領(lǐng)域。在不影響設(shè)備完整性的前提下，可以準(zhǔn)確識(shí)別和分析各種電子元器件，包括微型晶體管、電容器、電阻器等，可以發(fā)現(xiàn)內(nèi)部可能存在的缺陷、焊接問(wèn)題等，從而確保設(shè)備的品質(zhì)和可靠性。

NEOSCAN N90 以 500nm 體素尺寸掃描高級(jí) GPU，輕松分辨每一個(gè)TSV（通硅孔）

Part.5 VSParticle 納米研究平臺(tái)

在半導(dǎo)體加工中，顆粒污染是不可避免的。部分顆粒發(fā)生器無(wú)法穩(wěn)定的產(chǎn)生納米級(jí)（尤其是 23nm 以下）的顆粒，同時(shí)對(duì)于顆粒的組分限制較多，部分方法含有液體，不利于顆粒污染的去除。

VSParticle-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)機(jī)納米結(jié)構(gòu)材料的打印直寫。印刷涂層的顆粒由火花燒蝕技術(shù)產(chǎn)生，氣溶膠顆粒典型粒徑在 20nm 以下，且不含表面活性劑或任何其他有機(jī)添加物質(zhì)。借助 VSP-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)沖壓沉積模式，可以在晶圓選定區(qū)域沉積圖案或顆粒。同時(shí)搭載的納米粒子發(fā)生器可通過(guò)二次粒徑篩選，并沉積到選定區(qū)域，選定粒徑的顆粒可以進(jìn)行納米顆粒污染導(dǎo)致的失效模擬，或研究區(qū)域的顆粒清除效果。

顆粒輸出精度：±0.5nm，1-10nm 顆?？蛇x

Part.6 DEMSsolutions 原位樣品桿

在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過(guò)程中，晶體生長(zhǎng)過(guò)程、相變結(jié)構(gòu)演變、器件性能測(cè)試、環(huán)境條件影響這幾個(gè)方面都會(huì)影響到器件最終出廠后的實(shí)際性能表現(xiàn)。如何從微觀層面研究上述因素對(duì)器件結(jié)構(gòu)、性能的影響，就顯得至關(guān)重要。

DENSsolutions 透射電鏡原位方案，采用側(cè)插式樣品桿設(shè)計(jì)、無(wú)需對(duì)電鏡做額外改裝、兼容市面上主流品牌透射電鏡，從高溫、低溫、電場(chǎng)、氣氛等方面提供一系列的原位透射方案，具體性能包括：分辨率 60 pm、最高溫度 1300 ℃、低溫度 -160 ℃、最大電場(chǎng) 300 kV/cm、最大氣壓 2Bar、兼容多種氣體。借助 DENSsolutions 方案，工作人員可以在高分辨觀察的同時(shí)，對(duì)材料、器件施加多種外場(chǎng)刺激，以研究晶體生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)演變、環(huán)境條件的對(duì)器件結(jié)構(gòu)、性能的影響。